Gegenfeldanalysator Semion pDC

  Anlage und Ionenverteilung über Energie Diagramm Urheberrecht: © IOT Gegenfeldanalysator Semion pDC (a) und Ionenenergieverteilung in einem HPPMS-Beschichtungsprozess unter Einsatz eines Substratbias von U = -94V (b)

Gegenfeldanalysatoren ermöglichen die Messung der Ionenenergieverteilung, die eine wichtige Einflussgröße für das Schichtwachstum von Physical Vapour Deposition-Dünnschichten darstellt. Der Sensor des am Institut vorhandenen Gegenfeldanalysators Semion pDC, Impedans, Dublin, Irland, lässt sich sehr variabel in der Rezipientenkammer positionieren. Auf diese Weise ist es möglich, substratseitig die Ionenenergieverteilung sowie die Ionenflussdichte zu messen. Dies ist auch unter Verwendung einer Spannung am Substrattisch, dem sogenannten Substratbias, möglich, sodass Ionenenergieverteilungen, wie sie in industriellen Beschichtungs­prozessen vorliegen, bestimmt werden können.

Technische Daten:

Parameter Wert [Einheit]
Energiebereich

0 bis 2.500 eV
Energieauflösung 1 eV
Ionenstromdichten

0,1 mA/cm² bis 20 mA/cm²
Maximaler Ionenstrom 2 mA